本報記者 任世碧

    7月4日，第三代半導體板塊表現亮眼，截至午盤，其整體漲2.8%，跑贏上證指數（漲0.07%）。其中，光智科技、斯達半導漲停，銘普光磁、新潔能、臺基股份、時代電氣、天準科技、芯導科技等個股漲幅均超6%。

    市場資金涌入第三代半導體板塊搶籌。截至午盤，第三代半導體板塊呈現資金凈買入態勢，合計吸金8.71億元。其中，斯達半導、聞泰科技、揚杰科技、銘普光磁、三安光電、士蘭微等6只概念股大單資金凈買入額均超5000萬元。

    7月4日上午大單資金凈買入額超千萬元的第三代半導體概念股

    制表：任世碧

    消息面上，7月3日，商務部、海關總署發布《關于對鎵、鍺相關物項實施出口管制的公告》。公告顯示，根據《中華人民共和國出口管制法》《中華人民共和國對外貿易法》《中華人民共和國海關法》有關規定，為維護國家安全和利益，經國務院批準，決定對鎵、鍺相關物項實施出口管制。公告將自2023年8月1日起正式實施。

    對此，接受《證券日報》記者采訪的排排網財富研究員卜益力表示，鎵、鍺屬于稀缺戰略資源，用途比較廣泛，其中鎵是最具代表性的第三代半導體材料之一，而且我國又是全球鎵產量大國，美國一半以上的進口需求來自于中國，因此出口管制一定程度上利好我國第三代半導體產業發展。長期看，看好第三代半導體在國家政策以及市場需求的積極推動下的發展前景。半導體自主可控背景下，疊加第三代半導體已經具備技術突破的同時，在產業協同發展上也奠定了基礎，有望助力我國第三代半導體產業進入到加速增長期。

    第三代半導體材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶半導體材料。鎵被稱作“半導體工業新糧食”，可以在集成電路、LED和光伏板中使用，砷化鎵、氮化鎵等化合物半導體結合了多種元素，可幫助提高電視/手機屏幕、光伏電池板和雷達的傳輸速度和效率。數據顯示，全球探明的金屬鎵儲量僅27.93萬噸，中國擁有19萬噸，占比在68%左右。而從產量來說，美國地質調查局數據顯示，哈薩克斯坦、匈牙利、德國、烏克蘭等產國已相繼停止鎵生產，我國在全球鎵產量占比持續提升，截至2021年，占比已超90%。

    鎵系相關產品中，氮化鎵（GaN）是最具代表性的第三代半導體材料之一。浙商證券表示，氮化鎵（GaN）禁帶寬度達到3.4eV。更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更高的電子飽和速率及更優的抗輻照能力，使得其在功率器件、射頻器件、光電器件領域大有作為。隨著5G通信、消費電子、新能源汽車、數據中心等高景氣度下游逐步提出更高性能要求，有望放量提價。

    鍺也是優良半導體，可作高頻率電流的檢波和交流電的整流用，被多國列入戰略儲備物資的重要資源，在半導體、航空航天測控、核物理探測、光纖通訊、紅外光學、太陽能電池、化學催化劑、生物醫學等領域都有廣泛而重要的應用。其中，鍺在光伏領域的應用具體體現在聚光電池與硅鍺薄膜電池中，主要是用作砷化鎵太陽能電池的襯底材料。據美國地質調查局數據，全球鍺資源中國占比41%，美國占比45%；全球鍺供給中，中國占比68%，俄羅斯占比5%。

    日前，在浙江瑞安召開的2023國際新能源智能網聯汽車創新生態大會上，中國工程院院士丁榮軍表示，以碳化硅為代表的第三代半導體技術（包括Si-IGBT與SiC二極管相結合的技術）已經開始獲得應用，并具有很大的性能及市場潛力，將在未來十年獲得高達年復合20%以上的快速增長。

    止于至善投資基金經理孫嘉寶對記者表示，此次對鎵、鍺相關物項實施出口管制，對于國內第三代半導體公司是利好。目前，第三代半導體產業各環節都呈現快速發展狀態，襯底、外延及芯片產能加速擴張，成本持續降低，國內外主流廠家都制定了積極進取的市場策略。而中國擁有第三代半導體最大的應用市場，在新能源汽車、數據中心、5G、消費電子等強勁帶動下，預計未來幾年我國第三代半導體將繼續保持高速增長，可以關注碳化硅及氮化鎵等材料產業鏈投資機會。

（編輯 才山丹 策劃 張穎）